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61. 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索刊名： 发光学报发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池.无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究.CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,接近于面发射;而孤立的金刚石颗粒几乎观测不到场发射.金刚石薄膜的场...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 通过控制电泳沉积(EPD)时间,在硅基片上沉积不同密度的金刚石籽晶.再用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备,在硅基籽晶上合成多晶金刚石薄膜.薄膜中通常含有非金刚石相碳成分.用扫描电子显微镜(...
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65. 含稀土光学树脂的制备和性能研究刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 稀土高分子材料是通过稀土金属与高分子的复合而制备的一类兼具稀土光、电、磁等特性和高分子质轻、抗冲击和易加工等优良综合性能的功能材料.稀土高分子材料主要分为两大类型:一类是稀土化合物作为掺杂剂...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈11...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程.本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程.发现在紫外激光短脉冲激发下,两种...
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68. 纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系.首先利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄...
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69. 纳米ZnO胶体可见发射机制的研究刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论.本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用水热法,通过改变矿化剂浓度和温度合成了具有不同形态的氧化锌晶体.在较低的温度(350℃),填充度为35%,矿化剂KOH浓度小于2mol/L时,只合成了氧化锌微晶.当矿化剂KOH浓度大于3...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用Lagrange乘子法,利用Huybrechts线性组合算符和幺正变换,研究弱耦合多原子半无限极性晶体中磁极化子的振动频率和有效质量.结果表明:在电子无限接近晶体表面时,磁极化子的振动频...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 研究磁场中多原子晶体中极化子的激发态的性质.采用线性组合算符和幺正变换方法,分别导出强、弱耦合情形下磁极化子的激发能量和平均声子数.结果表明,磁极化子的激发能量和平均声子数不仅包括不同支LO...
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73. 极化子有效质量的性质刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用线形组合算符和幺正变换相结合的方法,求出了晶体中极化子与温度和耦合强度的依赖关系.根据依赖关系,讨论了4种不同情况,从中看出:当温度保持不变时,有效质量将随耦合强度的增加而增加,这是由于...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： ZnS1-xTex是制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料.本文介绍了ZnS1-xTex多晶薄膜的真空蒸镀制备情况,并用原子力显微镜、X射线衍射仪、能量色散谱仪、紫外-可见分光光度...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上.在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温G...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5O12∶Ce3+ (YAG).在工作电流为15mA条件下,...
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78. ZnCdSe量子点的激子行为研究刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱确认了量子点的形成.原子力显微镜观测的形貌变化发现,...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 研究了具有45°内反射镜的0.98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用 MBE 方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,低温(10...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用高温固相反应方法制备的BaFBr∶Eu2+粉末样品,未经X射线、真空紫外或紫外光辐照,用波长大于400nm的光激发样品,可观测到Eu2+的390nm发光.样品的电子自旋共振(ESR)谱证...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用固相反应法制备了一系列ZnS∶Zn,Pb荧光粉.改变不同的灼烧温度和激活剂的掺杂量,通过对灼烧后荧光粉进行光谱分析,我们发现Pb2+在ZnS基质中的发光与制备条件有关:灼烧温度为800～9...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 水热合成法制备的高度有序多孔ZrO2具有规则六角排列、均匀纳米孔洞(约1.8nm),并且其蓝、(近)紫外光发射强度比纳米微晶材料高2个数量级.本文研究了纳米介孔ZrO2这种不同于常规体材料与...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件.紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392.5nm处有4个吸收峰.光致发光和电...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1 000.为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,在3C-SiC中会产生很大的内应力,直接影响3...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 利用共焦显微喇曼光谱仪,对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化.晶化后薄膜的喇曼光谱表明,薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动,可以计算...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量 (N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,10,5min),在玻璃衬底上沉...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态.用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁...
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89. 聚合物/磷光复合体电致发光进展刊名： 发光学报发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 聚合物/磷光复合体电致发光是近几年来受到广泛关注的新兴领域.从主客体材料的特点、发光机理、器件结构几个方面综合阐述了该领域的研究概况.磷光材料在发光过程中可以利用单线态和三线态激子,理论上内...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 对蓝光材料DPVBi掺杂红光染料DCJTB的发光性质进行了研究.首先研究了DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB的光致发光,当掺杂质量浓度为0.1%时,光致发光得到白光(色度x=0.36,y=...
发光学报基本信息
| 刊名 | 发光学报 | 主编 | 申德振 |
| 曾用名 | 发光与显示 | ||
| 主办单位 | 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-7032 | CN | 22-1116/O4 |
| 邮编 | 130033 | 电子邮箱 | fgxbt@126.com |
| 电话 | 0431-86176862，84613407 | 网址 | www.fgxb.org |
| 地址 | 长春市东南湖大路16号 |
发光学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 工程索引(美) |
| 4. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖 |
| 2. | 2001年首批进入期刊方阵 |
| 3. | 2004年被选入中国科技期刊精品库 |
发光学报统计分析
被引趋势
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研究主题
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