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功能材料与器件学报2008年出版文献
出版文献量（篇）
1638
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总被引数（次）
10162
功能材料与器件学报
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本刊于1995年创刊，是由中国材料研究学会和中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办的全国性学术期刊。
主要刊登反映功能材料与器件领域中具有创新性的科研成果和应用技术进展的论文、简报、综述和消息。
来稿可以涉及功能材料的制备、加工、性能和应用，以及功能器件的原理、工艺和性能等等，具体可以包括下列领域：
微电子机械系统（MEMS）
微电子和光电子材料与器件...
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主办单位：
中科院上海微系统与信息技术研究所
中国材料研究学会
期刊荣誉：
中国学术期刊综合评价数据库来源期刊
中国科技论文统计源期刊、中国科学引文数据库来源期刊
美国Ei,美国CA，英国SA，俄罗斯PЖ的文献源期刊
ISSN：
1007-4252
CN：
31-1708/TB
出版周期：
双月刊
邮编：
200050
地址：
出版文献量（篇）
1638
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 分析了悬浮转子式微陀螺基本原理、技术技术要害,并综述了悬浮转子微陀螺多种方案的最新研究进展.
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好的表面形貌和晶体结构的ZnO晶体薄膜的方法,并构建了一套具有较低插入损耗的光纤检测系统用于光学性能分析.透射光谱测试结果显示,蒸镀在蓝宝...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 利用提高固相反应法烧结温度的方法制备了La1-xNaxMnO2.825(x=0.05,0.10,0.15,0.20)缺氧体系,测量了样品的XRD谱、红外光谱、拉曼光谱、M-T曲线、ESR谱线...
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154. KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 随着MEMS技术和免疫磁珠技术的不断发展,平面电磁线圈作为控制纳米磁珠在微流体中运动的关键部件,受到广泛关注和研究.但其复杂的加工工艺,较低的磁珠捕获效率以及电磁线圈的热效应,限制了它在微流...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用离子束辅助沉积技术,在硅、钼衬底上分别制备铂碳混合膜.XRD的分析结果表明,当铂碳混合膜中铂的组份较多时,有较强的铂(111)面衍射峰和较弱的铂(200)面衍射峰,铂的组份呈(111)择...
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157. 不同基底上碳纳米管的制备及生长机理刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 以二茂铁为催化前驱物,C2H2为碳源,N2为载气,采用浮动催化法,在蓝宝石、单晶硅、石英、玻璃以及碳纤维基底上制备了不同形貌和结构的碳纳米管.利用扫描电子显微镜和Raman光谱对碳纳米管的形...
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158. 不同氮流量比制备纳米Ta-N薄膜及其性能刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层.本文采用直流磁控反应溅射在N2/Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-N/基底复合结构,对部分...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题,本文提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性.场发射特性测试表明,ZnO纳米针经过滤后可以提高...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 以TiCl3为钛源,采用溶胶一凝胶法,在500℃(1h)烧结获得非金属离子(硫)掺杂TiO2的纳米粉体,利用XRD,FT-IR,UV-vis,ESEM,Zeta电位,XRF,TPD等表征S/...
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161. 高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系.结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随...
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162. PZT压电薄膜无阀微泵刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 介绍了一种基于PZT压电薄膜的无阀压电微泵.该微泵利用自制的压电圆型薄膜片作为驱动部件、聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为泵膜.本文在对微豕制备工艺研究的基础上,对其性能进行了数值和实验研究.建...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InAIAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响.结果表明该腐蚀液体系...
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164. 宽带驱动放大器MMIC的SMD封装刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 研究了一种采用Rogers 4003型有机基板材料和PCB工艺制造的MMIC一级封装结构,该封装结构与SMT工艺兼容,具有良好的散热性能和较低的成本,可用于X＆Ku波段驱动放大器芯片.采用三...
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165. 短沟道SiC MESFET亚阈值特性刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究...
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166. 隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用直流磁控溅射的方法制备了ZnO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器.x射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 研究了组分改变对PMN-PMS-PZT(铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅)热释电陶瓷材料的相组成、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果进行了分析.实验结果表明:通过改变材料Zr/Ti的...
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169. 短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 研究了烧结助剂ZnO对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(简写为CLST)系微波介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明:ZnO的添加能有效地降低CLST陶瓷的烧结温度至1150℃....
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 采用传统陶瓷制备方法,制备了无铅新压电陶瓷材料Na1/2Bi1/2TiO3-xBaNb2O6.研究了BaNb2O6掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的...
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172. 氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有Hf...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 对超大规模集成电路铝互连系统中的铝通孔电迁移进行了试验分析和模拟.以通孔开路为电迁移失效判据,求出了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命;基于ANSYS模拟软件平台,对铝通孔电迁移热电耦合效应...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了...
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176. 气-液-固法在半导体纳米线生长中的应用刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 气-液-固法(VLS)是目前生长各种准一维纳米结构的主要工艺技术.本文首先介绍了VLS的生长原理,然后以生长机制为主线,着重评论了近3-5年内它在ZnO、GaN、Si以及SiC等纳米线及其阵...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 为了实现室温、常压下聚二甲基硅氧烷(PDMS)与硅的键合,本文利用氧等离子体分别对PDMS、硅进行表面改性处理.考察了等离子体射频电源功率、处理时间、氧气流量对PDMS-硅键合强度的影响.通...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 热电型气体传感器具有广阔的应用前景.然而在设计制备过程中,通常直接选用热电综合性能较好的材料作为反馈部件,缺乏对热电性能各参数的具体研究,因此在选材上至今尚缺足够的科学依据.本文采用固相反应...
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刊名： 功能材料与器件学报发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为...
功能材料与器件学报基本信息
| 刊名 | 功能材料与器件学报 | 主编 | 邹世昌 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中科院上海微系统与信息技术研究所 中国材料研究学会 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1007-4252 | CN | 31-1708/TB |
| 邮编 | 200050 | 电子邮箱 | jfmd@mail.sim.ac.cn |
| 电话 | 021-62511070 | 网址 | www.jfmd.cn |
| 地址 | 上海市长宁路865号 |
功能材料与器件学报评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊综合评价数据库来源期刊 |
| 2. | 中国科技论文统计源期刊、中国科学引文数据库来源期刊 |
| 3. | 美国Ei,美国CA，英国SA，俄罗斯PЖ的文献源期刊 |
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