功能材料与器件学报期刊
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功能材料与器件学报

Journal of Functional Materials and Devices
本刊于1995年创刊,是由中国材料研究学会和中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办的全国性学术期刊。 主要刊登反映功能材料与器件领域中具有创新性的科研成果和应用技术进展的论文、简报、综述和消息。 来稿可以涉及功能材料的制备、加工、性能和应用,以及功能器件的原理、工艺和性能等等,具体可以包括下列领域: 微电子机械系统(MEMS) 微电子和光电子材料与器件... 更多
主办单位:
中科院上海微系统与信息技术研究所 中国材料研究学会
期刊荣誉:
中国学术期刊综合评价数据库来源期刊  中国科技论文统计源期刊、中国科学引文数据库来源期刊   美国Ei,美国CA,英国SA,俄罗斯PЖ的文献源期刊  
ISSN:
1007-4252
CN:
31-1708/TB
出版周期:
双月刊
邮编:
200050
地址:
上海市长宁路865号
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  • 作者: 张中平 李怡达 秦明 黄庆安
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  557-560
    摘要: 介绍了磁电子罗盘的工作原理.利用Honeywell的HMC1022双轴磁阻传感器设计了一种小型化的电子罗盘.信号调理电路采用AD8656高精度放大器.利用C8051F350微处理器完成A/D...
  • 作者: Button T Zhang D 康雪雅 王天雕
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  561-565
    摘要: 通过XRD、SEM分析和变温、变频条件下的logρ-t测量,对Co-Mn-Ni-O2系热敏材料的logρ-t特性与频率关系进行了研究.CoMn1.4Ni0.6O4尖晶石型氧化物热敏电阻材料的...
  • 作者: 侯洵 朱长纯 贺永宁
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  566-574
    摘要: ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不...
  • 作者: 何知宇 唐世红 张冬敏 方军 朱世富 程曦 赵北君 高德友
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  575-579
    摘要: 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同...
  • 作者: 吴燕红 周健 徐高卫 朱明华 罗乐
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  580-584
    摘要: 设计和实现了一种新型的三维多芯片组件(3D-MCM).采用融合了FCOB(flip-chip on board)、COB(chip on board)、BGA(ball grid array...
  • 作者: 庄惠照 张晓凯 滕树云 胡丽君 薛守斌 薛成山
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  585-590
    摘要: 本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜.然后将硅基Ga2O3置于管武石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制...
  • 作者: 孟庆新 李海云 梁宝岩 苏春晖 金松哲
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  591-596
    摘要: 采用机械合金化和放电等离子烧结制备YAG陶瓷,研究了球磨时间对原料颗粒大小和烧结合成YAG纯度的影响,并利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对反应过程及产物形貌和物相进行了分析...
  • 作者: 余文娟 刘恩庆 史芹 王向晖 胡石琼
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  597-602
    摘要: 采用光刻技术和反应离子刻蚀法(RIE)先在硅表面制备出一系列平面尺寸不同的微图形阵列,然后采用溶胶凝胶(sol-gel)浸渍提拉法在其表面制备出均匀致密、表面粗糙度一致的锐钛矿型纳米晶TiO...
  • 作者: 季亚林 汤乃云 陈效双
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  603-608
    摘要: 研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算.研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的...
  • 作者: Bomy Chen 冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 徐成
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  609-613
    摘要: 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变...
  • 作者: 刘盛 张永刚
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  614-618
    摘要: 采用一维方势阱模型对Gash/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果...
  • 作者: 刘刚 姜明哲 张英武 李素杰 海潮和 袁国顺 赵发展 郭天雷 韩郑生
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  619-623
    摘要: 对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采...
  • 作者: 丘泰 刘银
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  624-628
    摘要: 用喷射-共沉淀法成功地制备了纳米晶CoFe2O4铁氧体粉料.研究了不同合成温度对产物晶体结构、微观形貌和磁性能影响.结果表明:喷射-共沉淀法制备的粉料颗粒细小均匀、形状完整.600℃下煅烧1...
  • 作者: 丁桂甫 付世 杨卓青 蔡豪刚 赵小林
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  629-633
    摘要: 基于非硅表面微加工技术,设计了一种新的MEMS微型惯性电学开关.较厚的质量块可动电极和位于其上方悬空的弹性梁固定电极,不但有利于提高开关器件的触发灵敏度和接触效果,而且可避免质量块和弹簧过多...
  • 作者: 孙晓玮 徐安怀 林玲 王伟 齐鸣
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  634-638
    摘要: 对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异...
  • 作者: 许宝建 赵建龙 金庆辉 陆振华
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  639-644
    摘要: PDMS是制作微流控芯片的主要材料.PDMS芯片制作的主要方法是模塑法,模塑法要求有良好的塑性成型模具.SU-8以其良好的微加工特性,目前已广泛应用于微机械结构的制作,也用于PDMS塑性成型...
  • 作者: 刘伟景 吕家云 周晓峰 张健 江涛
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  645-650
    摘要: 采用石英晶体微天平传感器电极上旋涂纳米氧化锌薄膜,构造湿度传感敏感元件,实现对湿度检测.介绍了检测系统的组成,纳米氧化锌的制备.通过DAQ数据采集卡和Labview软件实现数据的实时采集.实...
  • 作者: 晏伯武
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  651-655
    摘要: 为探索PZT压电陶瓷材料的损耗机理,对Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.4403分别进行Co2O3、Sb2...
  • 作者: 王庆学
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  656-662
    摘要: 本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面...
  • 作者: 池积光 王跃林 车录锋
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  663-668
    摘要: 研究了基于塑性变形工艺的自对准垂直位错梳齿结构制作工艺,主要包括采用非SOI硅片实现可动电极和固定电极的绝缘,通过KOH各向异性腐蚀制作凸台实现可动梳齿和固定梳齿的精确自对准,利用塑性变形使...
  • 作者: 夏玉学 曾乐勇 梁静秋 王维彪 赵海峰 雷达
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  669-674
    摘要: 以乙炔(C2H2)为碳源,N2为载气,二茂铁为催化前驱物,采用浮动催化法,在碳纤维衬底上制备了垂直定向的碳纳米片阵列.利用SEM,EDX和Raman光谱对所得产物进行了表征.结果表明经十二烷...
  • 作者: 林小芹 罗乐 阮祖刚
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  675-681
    摘要: 传感器系统微小型化的发展趋势是将各功能模块进行三维模块化集成.本研究将加速度计芯片及调制解调电路进行三层堆叠模块集成.其中,各层模块的组装采用了FR4基板上的COB工艺,而垂直互连采用了一种...
  • 作者: 刘卫强 岳明 张东涛 张久兴 曹爱利 王公平
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  682-686
    摘要: 分别采用放电等离子烧结技术(Spark Plasma Sintering,简称SPS技术)和传统烧结技术制备了成分为Nd12.2Pr2Dy2FebalAl1Nb0.3Cu0.2B6的烧结Nd...
  • 作者: 刘敏 吕安国 周洪庆 朱海奎 杨春花 沈朝忠
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  687-691
    摘要: 分别研究了高硅氧玻璃(96wt%SiO2,非晶态)与二氧化硅(99wt%,石英相)的添加对CaO-SiO2-B2O3(CSB)微晶玻璃微观结构、烧结性能以及介电性能的影响.结果表明:不同形态...
  • 作者: 印晓明 张宁
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  692-696
    摘要: 研究了Tb1-xDyxFe2-y(TDF)与锆钛酸铅(PZT)三层膜样品的制备和在单一直流磁场驱动下的磁电(ME)效应.在该系列三层膜样品中测量到了巨大的ME耦合效应,纵向场中,ME电压的最...
  • 作者: 冯勇 张锐 徐政 许红亮 闫果 陈自力
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  697-701
    摘要: 以Mg粉和B粉为主要原料,采用两种烧结方法制备出MgB2超导体.利用x射线衍射仪、扫描电子显微镜、阿基米德法和标准的直流四引线法等,分别研究了样品的物相组成、显微结构、密度和临界电流密度等....
  • 作者: 王庆学
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  702-706
    摘要: 分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能...
  • 作者: 冯良桓 曾广根 蔡伟 郑家贵 黎兵
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  707-711
    摘要: 利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多...
  • 作者: 乐淑萍 易江林 肖慧荣
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  712-716
    摘要: 本文对几组蓝宝石衬底GaN基白光二极管(LED)施加了1000V静电击打后,对未失效的LED分别采用30、50和70mA的驱动电流进行老化实验,研究对比了1000V的静电对蓝宝石衬底GaN基...
  • 作者: 刘心宇 周昌荣
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  717-720
    摘要: 采用传统陶瓷制备方法,制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBi(Mg2/3 Nb1/3)O3.研究了一种化合物Bi(Mg2/3 Nb1/3)O...

功能材料与器件学报基本信息

刊名 功能材料与器件学报 主编 邹世昌
曾用名
主办单位 中科院上海微系统与信息技术研究所 中国材料研究学会  主管单位 中国科学院
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1007-4252 CN 31-1708/TB
邮编 200050 电子邮箱 jfmd@mail.sim.ac.cn
电话 021-62511070 网址 www.jfmd.cn
地址 上海市长宁路865号

功能材料与器件学报评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊综合评价数据库来源期刊
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功能材料与器件学报统计分析

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