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GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
作者:
刘盛
张永刚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
量子阱结构
半导体激光器
带间跃迁
摘要:
采用一维方势阱模型对Gash/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2~3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系.在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.
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内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计
来源期刊
功能材料与器件学报
学科
工学
关键词
量子阱结构
半导体激光器
带间跃迁
年,卷(期)
2008,(3)
所属期刊栏目
论文
研究方向
页码范围
614-618
页数
5页
分类号
TN248.4
字数
2024字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张永刚
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
66
595
12.0
21.0
2
刘盛
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
2
8
2.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献
(4)
共引文献
(2)
参考文献
(7)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(7)
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二级参考文献(2)
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1991(1)
参考文献(0)
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1993(1)
参考文献(1)
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1996(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1998(1)
参考文献(1)
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1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
量子阱结构
半导体激光器
带间跃迁
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料与器件学报
主办单位:
中科院上海微系统与信息技术研究所
中国材料研究学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1007-4252
CN:
31-1708/TB
开本:
大16开
出版地:
上海市长宁路865号
邮发代号:
4-737
创刊时间:
1995
语种:
chi
出版文献量(篇)
1638
总下载数(次)
2
总被引数(次)
10162
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
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