基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5的相变存储器器件单元存储性能

• 作者: Bomy Chen 冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 徐成
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: Sn掺杂 Ge2Sb2Te5 相变存储器 器件单元 存储性能
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 609-613
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2372字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009

摘要

采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.