短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

• 作者: 张国樑 张燕 曾云 李晓磊 王太宏
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 831-834
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 1741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018

摘要

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王太宏	湖南大学物理与微电子科学学院	38	322	11.0	16.0
2	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
3	张燕	湖南大学物理与微电子科学学院	13	66	4.0	8.0
4	李晓磊	湖南大学物理与微电子科学学院	3	1	1.0	1.0
8	张国樑	湖南大学物理与微电子科学学院	2	1	1.0	1.0