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人工晶体学报2006年第4期出版文献

出版文献量（篇）

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人工晶体学报

投稿

Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 浸没籽晶法生长La2CaB10O19单晶的研究

作者：傅佩珍吴以成景芳丽祖延雷

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 673-676

摘要：采用浸没籽晶法以CaO-Li2O-B2O3为助熔剂生长出La2CaB10O19单晶.籽晶的方向对晶体质量有较大的影响.晶体结构导致生长出的晶体均呈现板状外形,并且容易沿(001)面解理;捆绑...
2. LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的制备

作者：周昌勇杨培志潘建国蒋成勇陈红兵

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 686-691

摘要：本文报道了LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法.应用差热/热重分析研究了LaCl3·7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaCl3·7H2O为初...
3. ADP及KDP晶体纵向压电系数d33的计算及其验证

作者：刘国庆常新安王越蒋毅坚

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 702-704,714

摘要： ADP(磷酸二氢铵)和KDP(磷酸二氢钾)晶体都属于42m点群,是20世纪早期的著名压电晶体,具有易于大尺寸生长的优点.但它们在主轴坐标系中只有厚度切变压电系数(d14, d36),没有纵向...
4. 水热法生长棒状MnOOH和MnO2晶体

作者：刘奕张元广郭范

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 705-708

摘要：以高锰酸钾(KMnO4)和硫酸铵((NH4)2SO4)为主要原料,在150℃反应16h,水热法生长了棒状MnOOH晶体,然后以合成的棒状MnOOH晶体为前驱物,在硫酸溶液中,130℃水热反应...
5. Yb0.140Gd0.813La0.047VO4晶体的生长、光谱和激光损伤阈值

作者：庄乃锋胡晓琳赵斌陈建中高绍康

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 709-714

摘要：采用Czochralski方法生长出了Yb0.140Gd0.813La0.047VO4晶体,并测试了Yb3+与La3+在GdVO4晶体中的有效分凝系数.实验结果表明,掺入La3+可在一定程度...
6. CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

作者：唐世红张冬敏方军朱世富程曦赵北君陈俊高德友

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 715-718

摘要：报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用...
7. 等径角挤压Al-4.25%Cu多晶材料的裂纹产生与扩展

作者：孙康宁尹衍升毕见强王素梅范润华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 724-727

摘要：本文使用内角为90°、外角为30°的模具对2A12铝合金进行了等径角挤压实验,并采用HitachiS-800透射电镜(TEM)研究了材料内部裂纹的产生和扩展.结果表明:挤压两次后的试样内部没...
8. Bi2Te3纳米晶溶剂热合成及表征

作者：刘松安晓强曹传宝籍凤秋许亚杰

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 732-735

摘要：采用溶剂热方法,在水合肼溶剂中通过添加适量表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS),在180 ℃下反应10 h后成功地制备了不同形貌的纯相Bi2Te3纳米晶,包括纳米颗粒、纳米棒和花瓣状纳米片.用...
9. 水热法合成SnO2金红相纳米柱和亚微米晶体

作者：刘超张子生张晓军李军王伟伟韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 736-738

摘要：本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5～10nm,长30～100nm.加入一定量的N...
10. 高强、低致密度Ni3Al/HAP生物陶瓷复合材料的制备与性能研究

作者：刘晓飞刘爱红孙康宁孙昌李爱民

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 743-746

摘要：本文主要对Ni3Al/HAP生物陶瓷复合材料的制备及性能进行了初步研究.采用XRD分析了复合材料的相组成,通过组织学观察考察了复合生物陶瓷的生物相容性.研究结果表明:复合材料具有较好的力学性...
11. 孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究

作者：何青刘芳芳孙云李凤岩李微

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 761-764,815

摘要：本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避...
12. 不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

作者：封先锋张群社李留臣蒲红斌陈曦陈治明

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 781-784

摘要：本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需...
13. Sr2+对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响

作者：庄乃锋朱进钟富兰陈建中

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 795-799

摘要：本文报道了Sr2+离子掺杂对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响.SrxGd1-xVO4晶体粉末经X射线粉末衍射分析,其结果仍属四方晶系,具有锆英石结构.实验表明,高掺杂浓度时,Sr2+离子不...
14. 掺Nd钒酸盐晶体热导率的拉曼光谱研究

作者：任妙娟周城张仲张海鹍苏燕赵朋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 800-803

摘要：运用晶格动力学观点推导了热导率与积分拉曼散射强度的关系,测量了Nd:YVO4 (简称NYV)和Nd:GdVO4 (简称NGV)不同配置下的高温拉曼光谱和其a、c向的热导率,理论与实验非常吻合...
15. 水热-均匀沉淀法制备Zr(OH)x/NH4Cl复合结构枝蔓晶

作者：孙笑非宋秀芹

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 804-808,870

摘要：本文以ZrOCl2·8H2O和CO(NH2)2为原料,采用水热-均匀沉淀法,制备出了一种新型Zr(OH)x/NH4Cl复合结构对枝蔓晶,并用XRD、SEM、TEM、EDS对产品进行表征.对枝...
16. Cr:KNSBN晶体两波耦合及其图像存储

作者：傅广生张金平怀素芳苏红新郭庆林郭建新魏丽静

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 812-815

摘要：本文以He-Ne 632.8nm激光为写入光,在非同时读出条件下,实验研究了e偏振光写入Cr:KNSBN晶体两波耦合过程中信号光和泵浦光的透射光强随时间的变化,以及单束泵浦光的透射光强随时间...
17. 柠檬酸盐法制备超细Zn(Al)O的微波介电性能研究

作者：张海燕曾国勋王力胡礼初陈易明

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 816-819

摘要：本文研究了利用柠檬酸盐法制备的Zn(Al)O的介电性能.XRD分析显示先驱体燃烧后制成了单相的Zn(Al)O.热重分析显示先驱体易发生不完全燃烧,产生炭黑残留.燃烧产物经600℃,90min...
18. PZT基反铁电材料研究进展

作者：夏志国李强

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 835-843

摘要：在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,...
19. 制备工艺对B4C/TiB2/Mo/C陶瓷复合材料力学性能和显微结构的影响

作者：刘长霞孙军龙邓建新

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 844-848,834

摘要：采用热压法制备了80.6%B4C/11.6%TiB2/4.7%Mo/3%C质量分数陶瓷复合材料,分析了烧结工艺对力学性能和微观结构的影响.烧结温度变化范围是1800～1950℃,保温时间变化...
20. KDP晶体的点状籽晶法生长及其缺陷研究

作者：庄严李晓兵滕冰钟德高鲁晓东

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 858-862

摘要：研究了溶液Ph值对KDP晶体生长形态的影响,进行了晶体生长实验和参数对比.以提高溶液Ph值为主要手段在低过饱和度下进行KDP晶体点状生长.对点状法生长的晶体进行了缺陷分析,测定了晶体不同区域...
21. 双周期厚度调制的多量子阱的透射谱

作者：刘念华刘晓亮尹承平王同标

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 863-866

摘要：采用传输矩阵方法,研究了一维双周期厚度调制的多量子阱的透射谱.当量子阱的宽度被周期性地调制时,在原来的单一周期势的禁带中出现了一些窄带,落在这些窄带内的电子具有较强的局域性.
22. 电沉积法制备CdS薄膜及其性能研究

作者：史伟民徐菁葛艳辉邱永华魏光普

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 867-870

摘要：采用电沉积法制备了CdS薄膜.分别用XRD及SEM分析了薄膜的结构和表面形貌.研究了不同温度和不同沉积电压对薄膜表面硫与镉的化学成分比的影响.最佳的沉积电压为2.5～3V之间.制作了ITO/...
23. 微波法合成新型红色长余辉材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti中助熔剂的影响

作者：刘元红翟永清

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 871-875

摘要：用微波辐射法合成了红色长余辉材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等手段对合成产物进行了分析和表征,并研究了不同助熔剂Li2CO3...
24. 微管ZnO可控生长的研究

作者：李燕杨丽萍邓宏

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 876-879

摘要：本文采用水热法在玻璃基片上生长出了微米级六棱管状ZnO.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所制备的样品进行物相结构及表面形貌的分析.结果显示所制备的样品为六角晶系纤锌矿结构...
25. 非晶锗的低温晶化和光学特性研究

作者：宣艳杨宇

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 880-883

摘要：本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率...
26. 硅纳米管的稳定性及性能的理论研究

作者：唐元洪李小祥裴立宅

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 884-888,883

摘要：硅纳米管(SiNTs)是一种继碳纳米管(CNT)和硅纳米线(SiNWs)之后的全新一维纳米材料.文中介绍了硅纳米管理论研究的最新进展,主要从理论上对硅纳米管的稳定性、稳定存在的形式及其性能,...
27. Ni-ZrO2纳米复合电铸层的制备及纳米颗粒分布均匀性研究

作者：张文峰朱荻

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 889-892

摘要：研究了在复合电铸过程中,当其它工艺参数一定时,复合电铸层的沉积速率及其厚度随时间的变化趋势, 以及复合电铸层表面微观形貌随电沉积时间的变化趋势.测定了复合电铸层的组织成分,并就纳米颗粒在复合...
28. 草酸二甲酯均相沉淀法制备超细CeO2的研究

作者：梅燕聂祚仁韩业斌

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 893-896,879

摘要：以Ce(NO3)3·6H2O和草酸二甲酯(DMO)为原料,采用均相沉淀法制备超细CeO2粉体.借助TEM、SEM、 XRD及DTA-TG等测试手段,观察分析并研究了初生、反应30min及反应...
29. 掺钕KGW激光晶体的各向异性吸收光谱及其上转换发光

作者：冯卓宏刘璟明海李小燕林琳洪锦棉郑志强黄抒洁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 897-901,723

摘要：在室温下测量了掺钕钨酸钾钆(Nd3+:KGW)晶体三个晶轴方向的吸收光谱,其吸收谱带强度明显显示各向异性.将Judd-Ofelt(J-O)理论进行修正,使其扩展应用于处理各晶轴方向的吸收光谱...
30. 炼丹术和气相晶体生长

作者：张熙惟蒋宛莉

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年4期

页码: 902-906

摘要：本文简要论述了炼丹术的兴起、发展、衰落,并试图从晶体学的角度阐述中国古代炼丹术对本草学、矿物学、近代化学及气相晶体生长的贡献.通过对古人相当分散记载的历史文献的搜集、整理,展示我国古代的气相...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱