物理学报期刊
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物理学报

Acta Physica Sinica
曾用名: Chinese Journal of Physics(1933-1950)

CACSCDEIJSTSASCICSTPCD

影响因子 0.7631
刊登物理学科各领域中原创性成果的前沿研究综述、研究快讯及研究论文。该刊以论文水平高、创新性强,发表速度快的特点,受到国内外物理学工作者的高度重视,被国际著名的SCI等17种核心检索系统收录。2004年在SCI数据库中,影响因子为1.250。该刊被引频次已连续5年居中国物理类期刊第一位,已达到国际期刊的中上水平。在中信所数据库中,该刊被引频次和影响因子已连续7年居中国物理类期刊第一位,曾多次被... 更多
主办单位:
中国物理学会 中国科学院物理研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊特等奖(00)  国家期刊奖(99首届)  科技期刊方阵双高期刊(01) 
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
出版周期:
半月刊
邮编:
100190
地址:
北京603信箱
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  • 作者: 周薇薇 唐元昊 张华 施思齐 李沛娟
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3426-3431
    摘要: 基于考虑了Ce-4f电子间的库仑作用U和交换作用J的LDA+U方案,应用第一性原理计算系统研究了CeO2的电子结构,光学和晶格动力学性质.电荷密度和电子局域函数的分布特征表明,CeO2是属于...
  • 作者: 刘先锋 刘拥军 张瑜 江学范
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3432-3437
    摘要: 基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用考虑在位库仑作用的广义梯度近似(GGA+U)下的投影缀加波(PAW)方法,研究了具有双钙钛矿结构的Sr2FeWO6和SrKFeWO6材料的晶体结构、电...
  • 作者: 何小琦 庄志强 恩云飞 王歆 陆裕东
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3438-3444
    摘要: 采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作...
  • 作者: 宁西京 庄军 张文献 林正喆 王音 韩小静
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3445-3449
    摘要: 由于实验表征团簇结构的困难,理论预测团簇在生长过程中各种异构体的生成概率便十分重要.考虑到分子动力学可模拟高温时各异构体的相对丰度,把问题归结为高温时所形成的各种异构体在室温环境中如何转化,...
  • 作者: 毛爱杰 王辉 邝小渝
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3450-3454
    摘要: 基于配位场理论,建立d3组态离子在三角晶场中的完全能量矩阵,采用完全能量矩阵的对角化计算方法,研究了绿宝石晶体Cr3+:Be,Al2(SiO3)6的光谱和EPR谱,理论值与实验值符合得很好....
  • 作者: 刘剑 尹娜 张家良 彭华 李吉超 梅良模 王春雷 王洪超 苏文斌 赵明磊 赵越
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3455-3460
    摘要: 利用传统的固相反应分别在1250℃,1300℃,1350℃.烧结条件下制备出钙钛矿结构的La0.9Sr0.1FeO3陶瓷样品.样品的XRD粉末衍射结果显示不同烧结温度的La0.9Sr0.1F...
  • 作者: 刘晓静 安忠 宋瑞 王亚东 邸冰
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3461-3465
    摘要: 基于一维紧束缚SSH模型,讨论了电子晶格耦合二阶项对极化子静态和动力学性质的影响:随着二阶项系数β的增加,二聚化常数越来越大,能隙越来越宽,极化子的局域性不断增强,但带宽几乎没有变化.动力学...
  • 作者: 刘庆峰 刘茜 张静玉 施尔畏 陈义 陈之战 黄维
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3466-3472
    摘要: 用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10 nm增加到160 nm,肖特基接触的电流-电...
  • 作者: 李刚 王德义 赵鸣 高书霞
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3473-3480
    摘要: 采用溶胶-凝胶法在n型Si(100)衬底上沉积Li-N双掺杂ZnO薄膜,经X射线衍射和扫描电镜图片分析,所制备薄膜具有多晶纤锌矿结构和高的c轴择优取向.室温下霍尔效应测试结果显示Li-N双掺...
  • 作者: 何明 周铁戈 岳宏卫 王争 赵新杰 阎少林
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3481-3487
    摘要: 在He等人所做的嵌入到Fabry-Perot谐振腔中约瑟夫森结阵列的微波辐照研究基础上,提出了同时实现约瑟夫森结阵列阻抗匹配和相位锁定的方法,进行了相关的电磁仿真和数值计算.双晶约瑟夫森结阵...
  • 作者: C.H.Cheng 冯勇 孙辉辉 杨烨 王磊 赵勇
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3488-3493
    摘要: 本文研究了柠檬酸掺杂的MgB2超导材料的Jc-B行为及其钉扎机理.在纯MgB2多晶样品中,δTc钉扎起主要作用,而在掺杂的样品中,则是δl钉扎和δTc钉扎共同作用,并且δl钉扎机理占主要作用...
  • 作者: 张玉滨 秦伟 解士杰
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3494-3498
    摘要: 根据最近关于温度对有机磁电阻影响的实验研究,利用漂移-扩散方程,计入温度对极化子迁移率和自旋弛豫时间的影响,研究了有机半导体中自旋极化率随温度的变化,进而利用Julliere公式给出器件的磁...
  • 作者: 侯登录 周鸿娟 张永进 甄聪棉 赵翠莲 马丽
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3499-3503
    摘要: 利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO2纳米薄膜.发现N掺杂SiO2体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具...
  • 作者: 宫玉彬 杨中海 殷海荣 高鹏 魏彦玉
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3504-3508
    摘要: 不将自旋扭矩因子近似为一个常数,利用Melnikov微扰方法推导了LLS方程解的表达式,通过VC与MATLAB混和编程进行计算,计算结果显示,与将自旋扭矩因子视为常数的情况相比较,自旋扭矩为...
  • 作者: 张家良 谭永强 邵守福 郑鹏 郝文涛 陈戈
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3509-3515
    摘要: 利用固相反应法在不同烧结温度条件下制备了一系列(Na1/2Bi1/2)Cu3Ti4O12(NBCTO)陶瓷样品,研究了它们的晶体结构、微观组织结构、介电性质和复阻抗及其随温度的变化.实验发现...
  • 作者: 宋学平 徐玲芳 杨昌平 罗晓婧
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3516-3522
    摘要: 采用固相烧结法合成了单相巨介电常数氧化物CaCu,Ti4O12(CCTO).用阻抗分析仪分析了10-420 K温度范围内的介电频谱和阻抗谱特性,并结合ZVIEW软件进行了模拟.结果表明:温度...
  • 作者: 夏志林 李展望 薛亦渝 郭培涛 黄才华
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3523-3530
    摘要: 短脉冲激光诱导薄膜材料损伤过程的研究通常止于薄膜材料发生喷溅.超热喷溅物质吸收剩余激光脉冲能量将形成剧烈的等离子体爆炸过程.采用两步数值计算方法处理等离子体微滴的爆炸过程,即在每一个数值计算...
  • 作者: 侯王宾 刘天琪 李兴源
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3531-3537
    摘要: 统Prony法在分析低频振荡时对输入信号要求较高,存在着对噪声敏感的弱点.因此提出一种经验模态分解滤波和改进Prony法相结合的低频振荡分析方法.该方法先用经验模态分解对低频振荡信号进行自适...
  • 作者: 吴锋 周朋 喻军 夏海平 徐军 苏良碧 赵衡煜
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3538-3541
    摘要: 用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB2O4单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808 nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB2O4单晶中发...
  • 作者: 张义门 张玉明 王悦湖 程萍 郭辉
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3542-3546
    摘要: 采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10 mi...
  • 作者: 乐放达 彭波 徐铁峰 戴世勋 沈祥 王训四 聂秋华
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3547-3553
    摘要: 用熔融淬冷法制备了系列掺杂浓度的Dy3+:Ge-Ga-S-CsI硫卤玻璃样品,测试了样品拉曼光谱、折射率、吸收光谱、近红外及中红外荧光谱.应用Judd-Ofelt理论计算了Dy3+离子的强度...
  • 作者: 周治平 王兴军 董斌
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3554-3557
    摘要: 溶胶-凝胶法在Si(100)基片上旋涂法制备铒硅酸盐化合物(Er silicate)薄膜.系统研究了烧结温度和烧结时间对Er silicate薄膜相结构、相转变以及光致发光特性的影响.在10...
  • 作者: 刘吉地 王育华
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3558-3563
    摘要: 采用溶胶-凝胶法(sol-gel method)于不同气氛条件下成功合成了Zn1.92-xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.12)系列粉末样品.利用X射线衍射(XRD)、光致发光...
  • 作者: 乔士柱 付刚 季燕菊 张宁玉 王凤翔 贾振锋 赵俊卿
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3564-3570
    摘要: 由于有机半导体(OSC)材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件(OLED),通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法...
  • 作者: 丁桂英 丛林 姜文龙 孟凡超 孟昭晖 张刚 汪津 王立忠 韩强
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3571-3576
    摘要: 制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50 mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加了12.4%...
  • 作者: 乔建良 常本康 张益军 杜晓晴 牛军 王晓晖 郭向阳 钱芸生 高有堂 高频
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3577-3582
    摘要: 针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230-400 nm波段内反射模...
  • 作者: 宋肖阳 张宇 李廷举 温斌
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3583-3588
    摘要: 用化学气相沉积法,以吡啶为氮源,乙炔为碳源,制备出了不同氮掺杂含量的碳纳米管.使用透射电子显微镜(TEM)和X射线荧光光谱(XPS)对样品的形貌和成键特性进行了观察和分析.TEM测试发现随着...
  • 作者: 吴卫东 唐永建 王锋
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3589-3594
    摘要: 采用PLD方法,在573 K条件下制备了AlFe单晶合金薄膜.X射线衍射与透射电子衍射表明,AlFe空间点群为PM-3M,晶格常数a=0.297 nm(略大于bcc-Fe的晶格常数,a=0....
  • 作者: 任秀 杨根仓 杨玉娟 王锦程
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3595-3600
    摘要: 采用晶体相场模型,分别模拟了纯物质小角度晶界和大角度晶界结构及变形过程中的晶粒转动及晶界迁移.结果表明,小角度晶界迁移的主要机理是构成晶界的位错的滑移和攀移,而大角度晶界的迁移主要依靠晶界两...
  • 作者: 刘爱萍 唐为华 徐蕙 王顺利 陈本永
    刊名: 物理学报
    发表期刊: 2010年5期
    页码:  3601-3606
    摘要: 在室温下,采用射频磁控溅射法制备了Cu/TiOx纳米晶复合薄膜.利用X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对其结构进行表征,并研究了Cu/TiOx复合薄膜的UV-vis吸收谱和...

物理学报基本信息

刊名 物理学报 主编 欧阳钟灿
曾用名 Chinese Journal of Physics(1933-1950)
主办单位 中国物理学会 中国科学院物理研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 半月刊 语种
chi
ISSN 1000-3290 CN 11-1958/O4
邮编 100190 电子邮箱 wulixb@aphy.iphy.ac.cn
电话 010-82649294 网址 http://wulixb.iphy.ac.cn
地址 北京603信箱

物理学报评价信息

期刊荣誉
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2. 国家期刊奖(99首届)
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