微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 刘之景 秦成明
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  14-17
    摘要: 指出微全分析系统已成为国际关注的焦点,它正向着微型化、集成化、便携化、自动化方向发展.它使许多不连续的分析过程连续化和自动化,完成实时及在位分析,实现高效率、快速度、少耗样、低成本、无污染、...
  • 作者: 全武贤 张晋 徐载明 曹祥熙 朱永哲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  18-22
    摘要: 由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5 5 12)表面自组装纳米线的候选材料.本研究试用不同的银覆盖度和退火温度制作高纵横比的银纳米线.当覆盖度为0.1单原子...
  • 作者: 孙秀果 林玉龙 贾振斌 魏雨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  23-26
    摘要: 为了改善纳米TiO2的分散性,利用表面包覆技术,在TiO2的表面形成致密的SiO2膜,以达到改性的目的.讨论了SiO2包覆纳米TiO2的作用、机理和包覆工艺条件,并对包覆后的TiO2通过透射...
  • 作者: 田文超 贾建援
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  27-30
    摘要: 针对由于尺寸效应导致粘着力对微电子机械性能影响的问题,建立了数字微镜的弹性片同基底之间纳米接触的物理模型.根据Hamaker三个假设和Lennard-Jones势理论,用连续方法推导出弹性片...
  • 作者: 胡小东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  31-34,44
    摘要: 主要探讨了微电子机械系统中普遍存在的失效模式及机理,对几种没有明确对应模式的失效机理也做了介绍.最后针对一种具体的微机械开关器件,研究了它的可靠性问题,给出了相应的可靠性提高措施.该微机械开...
  • 作者: 李惠军 赵攀岭 陈慧凯
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  35-39
    摘要: 针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取.介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型...
  • 作者: 严伟 姚汉明 王肇志 胡松
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  40-44
    摘要: 微电子技术的不断发展,对光刻设备精度的要求越来越高,特别是在一些特殊器件的制作领域,要求基片多次曝光后必须达到较高的套刻精度.目前国内外有多种比较成熟的对准技术来满足这一要求,其中底面对准技...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  45-46
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年10期
    页码:  46
    摘要:
  • 作者: 翁寿松
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  1-4
    摘要: 2001<国际半导体技术指南(ITRS)>规划出半导体技术未来15年内的发展.它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90 nm,2007年70 nm,2010...
  • 作者: 王太宏 符秀丽
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  5-9,44
    摘要: 介绍了原位电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制备的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较...
  • 作者: 欧文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  10-13
    摘要: 快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速.随着嵌入式系统和移...
  • 作者: 单桂晔 孔祥贵 安利民 王新 胡斌 金长清
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  14-17,35
    摘要: 在共混的两种低维聚合物量子线中,采用分子自组装技术制备了嵌段低维聚合物纳米线的异质结构,通过对室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱的研究,证实了在这种嵌段低维聚合物纳米线的异质结构中存在很强的...
  • 作者: 全宇军 徐宝琨 朱棋锋 邱法斌
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  18-20
    摘要: 采用以无机盐为基础的新型溶胶-凝胶法合成了固体电解质NASICON材料.合成过程中,通过向原溶液中添加草酸作络合剂,有效降低了烧结温度,缩短了烧结时间.实验中,利用XRD、TEM等分析测试手...
  • 作者: 王梦魁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  21-24
    摘要: 重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdW...
  • 作者: 何洪涛 吕苗 吝海峰 徐永青 杨拥军 郑锋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  25-28
    摘要: 提出了一种体硅微加速度计的设计和制造方法,同时设计了它的闭环反馈伺服电路,分析了加速度计的质量块、悬臂梁和梳尺间隙对量程、非线性、灵敏度、抗冲击能力和带宽等特性的影响.已经加工出的微加速度计...
  • 作者: 吕苗 徐爱东 胡小东 邹学锋 郭贺军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  29-35
    摘要: 介绍了一种新型的隔离放大电路,采用微机械开关实现"飞电容"结构.这种隔离放大电路具有许多优点:电路结构简单、尺寸小、成本低、隔离电压高、电磁兼容性能优良,很容易组成多通道隔离电路等;在30 ...
  • 作者: 崔铮 杜惊雷 石瑞英 郭永康
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  36-40
    摘要: 计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响....
  • 作者: 康剑 王泗禹
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  41-44
    摘要: 与传统湿法腐蚀比较,干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点.目前,刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术,干法刻蚀设备亦成为关键设备....
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  45-46
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  46-47
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年11期
    页码:  48-48
    摘要:
  • 作者: 何尧 王太宏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  1-14
    摘要: 随着传统的硅材料加工技术发展到极限,寻找替代硅的材料已迫在眉睫.碳纳米管因其优良的性能将成为替代硅的理想材料.本文介绍了以碳纳米管为基础的场效应晶体管的工作原理以及独特性能.与传统的金属-氧...
  • 作者: 贾正根
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  15-20
    摘要: 近场光学存储器采用了纳米高新制作技术,具有极高的读出速度和极高的存储密度.本文介绍了近场光学"头"、近场光学记录方法、记录机理和处理方法以及T比特光盘的制造技术和结构.
  • 作者: 朱俊杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  21-27
    摘要: 随着纳米科技的发展,合成纳米材料的新方法层出不穷.超声化学方法合成纳米材料近年来得到了飞速的发展,引起了科学界越来越多的关注.本文从超声化学的基本原理和特点出发,简要介绍了近年来超声化学法在...
  • 作者: 刘彦青 吕苗 徐爱东 胡小东 郭贺军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  28-31,35
    摘要: 硅溶片工艺用于制造MEMS惯性传感器[1].能够实现高深宽比、导电性好的微机械结构.我所采用这种工艺制造出多种MEMS器件,包括加速度计和陀螺等.但该工艺用于制造垂直动作结构如Z轴加速度计和...
  • 作者: 梅年松 黄庆安
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  32-35
    摘要: 多晶硅断裂强度是MEMS器件极限工作的主要参数,也是MEMS CAD数据库建立的重要方面之一,在微小尺寸的情况下断裂强度的测试方法与大尺寸时有很大的不同,测试结果会受到很多因素的影响.本文总...
  • 作者: 姚汉民 李展 石建平 陈旭南 陈献忠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  36-39
    摘要: 介绍了纳米结构制作的一种新方法--纳米印刷光刻的基本原理、总体方案.该技术与其它微刻印技术相比,具有成本低、生产效率高、可批量生产、工艺过程简单等优点.介绍了SiC模板的制作方法、用纳米印刷...
  • 作者: 嵇国金 王磊 马奎
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2002年12期
    页码:  40-43
    摘要: 纳米技术是21世纪的热点技术,它的基础技术--纳米操作技术是能够精确地改变、控制原子、分子及纳米尺度器件的技术.本文系统介绍了纳米操作系统的组成及其关键技术.给出了纳米操作系统的纳米操作器、...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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