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微纳电子技术2007年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 由于研究脑电的需要,研制检测脑电信号的专用集成电路具有重要的意义.提出了一种基于CSMC的DPDM 0.6μm CMOS工艺可集成低通椭圆滤波器的设计.该滤波器的特点是同时实现了低通滤波和工...
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272. 纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势,分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况;结合90 nm CMOS工艺设计的超大规模SOC芯片的实践,对纳米CMOS集成电...
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273. 芯片实验室技术在POCT上的最新进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 芯片实验室在临床诊断,特别是在床边诊断(POCT)检验领域具有重要作用.介绍了芯片实验室技术在POCT领域,尤其是近两年来在核酸、蛋白质及细胞检测等方面的最新研究进展,以及纳米技术和传统技术...
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274. 高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT...
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275. 纳米技术分类研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 介绍了国际上纳米技术专利的分类方法、技术内容,以及美国专利局和欧洲专利局推出的纳米技术专属分类977和Y01N.对国际专利分类、美国专利分类和欧洲专利局专利分类中针对纳米技术的专利分类进行了...
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276. SiC稀磁半导体材料研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.系统地概述了SiC基DMS材料的研究进展,介绍了材...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射方法(XRD)对不同温度退火后的Au/SiO2复合薄膜的表面形貌、微观结构进行...
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278. 波导型表面等离子体共振传感器传感特性计算刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 介绍了集成波导型表面等离子体共振传感器工作原理和基本结构,用传统波导模式的分析法结合表面等离子体波的色散方程,计算集成波导型表面等离子体共振传感器理论模型的共振波长.通过基于菲涅耳方程的解析...
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279. 微柔性铰链转动能力和精度特性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 对柔性铰链的转动能力和精度特性等方面进行了理论分析和研究,给出了柔性铰链的柔度矩阵和精度特性矩阵的计算公式,得到表示柔性铰链转动能力的变形量方程和表示精度特性的位移方程.用VC++实现了相应...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作.这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数.加式测试结构...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： ULSI多层铜互连线中,由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异,使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷极易发生.研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响,并进行了不...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 介绍了光刻机底面对准系统的基本原理,并分析了传统底面对准系统存在的缺点,给出了基于USB2.0与CPLD的光刻机底面对准新系统的设计方案.论述了系统硬件和软件的实现,并对其中的关键模块进行了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项.用标准的0.6μm CMOSBSIM3v3模型库...
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284. 《微纳电子技术》征稿启示刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年12期页码:摘要：
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285. 《微纳电子技术》征稿启事刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年10期页码:摘要：
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286. 《微纳电子技术》征稿启事刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年7期页码:摘要：
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287. 中英文摘要的写作要求刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2007年7期页码:摘要：
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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