ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究

• 作者: 刘玉岭 武亚红 王立发 陈景 马振国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连线 阻挡层 化学机械抛光 抛光液
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 1078-1081
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97|TN305.2
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.12.010

摘要

ULSI多层铜互连线中,由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异,使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷极易发生.研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响,并进行了不同抛光液配比的试验.实验证明,在温度为30℃、压力0.08 MPa,转速60 r/min、抛光液流量为160 mL/min、抛光液成份为V(H2O2):V(有机碱):V(活性剂):V(螯合剂)=5:15:15:25时,抛光速率一致性较好,能够有效降低碟形坑的出现几率;Cu、Ta的抛光速率均为500nm/min左右,实现了CMP的全局平坦化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	陈景	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
3	王立发	河北工业大学微电子研究所	9	65	5.0	8.0
4	马振国	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
5	武亚红	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0