用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构

• 作者: 李伟华 马洪宇 黄庆安
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 塞贝克系数 测试结构 微机电系统 硅
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 1073-1077,1081
• 页数: 6页
• 分类号: TH703|TN304.12|TN304.07
• 字数: 3359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.12.009

摘要

综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作.这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数.加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容.指出这些方法原理简单、测量直接,但必须要求真空环境,尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求.