微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 李圣怡 黄建平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  249-254
    摘要: 针对分子动力学模拟存在的缺点,提出了基于晶格动力学模拟纳米薄膜热特性的新方法,并用该方法模拟了各种不同厚度的硅和氩纳米薄膜的比热、熔化温度、热膨胀系数和热传导系数等热特性参数.计算结果表明纳...
  • 作者: 冯朝文 吴刚 蔡理
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  255-259
    摘要: 提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式.理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数.利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFE...
  • 作者: 刘英斌 安振峰 张世祖 杨红伟 林琳 王晓燕 花吉珍 陈宏泰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  260-263
    摘要: 隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等.采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为P型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使...
  • 作者: 张雪红 徐彬 杨晓辉 阮北
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  264-267,286
    摘要: 以TiCl4为原料,加入硫酸盐作为添加剂,采用沸腾回流强迫水解法成功地制备了粒度小、粒径分布窄的锐钛型纳米TiO2,用粒度分布仪、透射电子显微镜、X射线衍射计检测了产物形貌、粒径及晶型.同时...
  • 作者: 李言荣 蒋书文 齐增亮
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  268-270,297
    摘要: 采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜.在基片温度200℃、本底真空1×10-3 Pa条件下,BZN靶溅射0.5 h,作为自缓冲层;然...
  • 作者: 但伟 邵明珠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  271-274,292
    摘要: 利用薄膜生长技术,通过控制材料的厚度来调整阱宽,控制组分来调整阱深,得到了不同光电特性的超晶格半导体材料.为克服"方形"势阱过于简单和理想的缺点,引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱....
  • 作者: 刘志鹏 张伟 徐进良
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  275-281
    摘要: 以辛烷为分散相、水为连续相,对宽度为200μm、深度为40μm的T型交错微通道内水包油型液液相微反应器的形成进行了实验研究.通过改变分散相和连续相流量比例,在T型节点的下游发现射流状液滴和滴...
  • 作者: 刘茂哲 叶甜春 景玉鹏 李全宝 焦斌斌 罗小光 高超群
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  282-286
    摘要: 提出了一种新型的翘板式静电射频微系统开关,给出了理论模拟,结构分析结果和工艺制作方法.该结构采用了5μm厚的无应力单晶硅作为开关的可动部分,可以缓解薄膜应力变形.翘板式结构解决了传统静电设计...
  • 作者: 刘海文 李玲玉 杨月寒 童富 赵建明
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  287-292
    摘要: 介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模...
  • 作者: 周国安 种宝春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  293-297
    摘要: 阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用.在Sikder和K...
  • 作者: 丁嘉欣 孙维国 彭振宇 郭杰 陈慧娟 鲁正雄
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  298-301
    摘要: 研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系.该体系较适合lnAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小...
  • 作者: 吕英杰 张小兴 戴宇杰 杨俊焱 樊勃
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  302-306
    摘要: 设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56 MHz ASK 100%、10%调制射频卡所需要的时钟.针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  307-310
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  封底
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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