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微纳电子技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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22
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31. Si基发光的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 回顾了Si基发光的研究历程,归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点,其中包括多孔Si发光、GeSi/Si量子阱发光、Si p-n结位错发光、CMOS Si基发光、PERL结构Si基发...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： RF MEMS开关将成为微波、高频信号控制的关键器件.针对其驱动电压过高,不能满足现代通信系统低电压的要求,推导了电容式RF MEMS开关驱动电压的理论公式;基于降低开关柔顺结构的弹性系数、...
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33. 行波电渗微流体驱动仿真和实验研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 为了探讨在封闭通道内微流体在行波电渗作用下的流动状态,进行了行波电渗微流体驱动实验及仿真研究.通过对行波电渗微流体驱动原理的分析,建立了行波电渗微流体驱动数学模型.根据微通道内电势分布满足L...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中.通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于R...
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35. SPM微悬臂弹性常数校准技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 综述了扫描探针显微镜(SPM)的微悬臂梁弹性常数Kn的校准方法,主要包括物理尺寸法、动态测量法和静态测量法.物理尺寸法计算方便,可给出任何方向、任意形状的弹性常数表达式,但测量精度不高,适用...
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36. 数字灰度投影光刻技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点.介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻...
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37. 从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程.指出90 nm节点的主流光刻技术是193 nm ArF光刻;193 nm浸入式光刻技术作为65 nm和45 nm节点的首选光刻技术,...
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38. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极.提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制.强调了负极...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素,表明散粒噪声与输运过程密切相关,按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分为泊松散粒噪声、亚泊松散粒噪声和超泊松散粒噪声四类.将散粒噪声的这...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜.用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 选择C20富勒烯分子最可能稳定存在的几种等能异构构型作为研究对象,在高斯中选用密度泛函理论,用B3LYP/6-31G*方法和基组对这几种分别属于D2h、C2h、C2、D3d和Ci对称群的C2...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 针对微雾化器存在的多能域能量耦合问题,建立了压电微雾化器的固一液-声耦合模型,对其耦合特性进行了数值计算,并着重分析了压电振子结构参数对耦合性的影响,得到了压电振子结构参数对于系统的结构振动...
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46. 基于探针形式的三维硅微力传感器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 为满足三维微力测量的需求,以MEMS体硅压阻工艺技术为基础,研制了一种基于微探针形式,具有μN级三维微力测量和传感能力的半导体压阻式三维微力硅微集成传感器.传感器采用相互迟滞的4个单端固支硅...
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47. 电渗泵的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 概述了电渗泵驱动的基本原理.根据电渗泵微通道的结构特征,将其分为多孔介质电渗泵和开放通道电渗泵两类,并阐述了两类电渗泵的研究进展和各种结构电渗泵性能的优缺点,分析了驱动电压、温度、通道结构尺...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 介绍了电子束曝光技术的原理.根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法.重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与...
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49. GaN/SiO2刻蚀选择比的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、...
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50. 国际观点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要：
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52. 太赫兹波的几个基本问题刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 介绍了用于加工太赫兹渡元件的微机械加工技术(铣削、放电加工、电铸、湿法腐蚀Si、干法腐蚀Si、厚光刻胶:SU-8和LIGA)及其最新结果.重点描述了应用于太赫兹波的器件和集成电路,如将可用于...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 单向运动灾流子光二极管(UTC-PD)具有高速和大电流的特点,与RTD相结合可构成一高速光控MOBILE,能够应用于80 Gb/s的光纤通信、光信息处理和高速光网络中.在详细介绍UTC-PD...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 采用腔面电流非注入技术,提高了808 nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值.通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入.载流...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度.利用不同的物理表征手段系统研...
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56. 聚苯胺低维纳米结构的研究现状刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 综述了聚苯胺低维纳米结构在制备方法、形成机理以及功能特性等方面的研究现状.重点阐述了聚苯胺纳米管、纳米纤维的制备方法,包括模板法、界面法、自组装法、电化学法等,同时简要介绍了聚苯胺纳米管、纳...
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57. Si纳米线及其器件研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景.综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 用双射频共溅射和溅射后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析了样品的物相组成、形貌和结构.研究发现,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 给出了一种静电驱动二维微扫描镜的设计和制造方案,所设计的扫描镜具有绕X轴和y轴转动的两个自由度,并具有体积小、功耗低、频率高等优点.推导了镜面旋转角表达式并分析了吸合效应.利用POLYMUM...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 提出一种基于薄层SOI材料的NEMS(nano-eleetro-mechanical-system)结构制备技术.通过大量实验研究,突破了电子束光刻、ICP刻蚀、CO2超临界干燥释放等工艺技...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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