从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

• 作者: 乔高帅 吴日新 孙磊 戴庆元
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 浸入式光刻 EUV光刻 无掩模光刻 纳米压印光刻 特征尺寸
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 186-190
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 5001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.03.011

摘要

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程.指出90 nm节点的主流光刻技术是193 nm ArF光刻;193 nm浸入式光刻技术作为65 nm和45 nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32 nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22 nm和16 nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向.在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴庆元	上海交通大学微纳科学技术研究院	65	299	10.0	13.0
2	孙磊	上海交通大学微纳科学技术研究院	20	87	5.0	9.0
3	乔高帅	上海交通大学微纳科学技术研究院	1	32	1.0	1.0
4	吴日新	上海交通大学微纳科学技术研究院	1	32	1.0	1.0