微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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3266
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  • 作者: 王宗成 王淑华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  613-619,628
    摘要: 简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划.详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸(1英寸...
  • 作者: 杨修文 王明秋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  620-623,628
    摘要: 利用黑米、辣椒的植物染料分子及其混合的染料分别敏化了TiO2薄膜电极,制备出太阳能光化学电池.测试发现黑米的染料分子与TiO2膜有相互键合作用,使吸收峰值从568 nm移动到599 nm;黑...
  • 作者: 万梓扬 张辰朔 许俊发 郝惠莲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  624-628
    摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜.基于结构表证、光致发光(PL)光谱、温度依赖性PL光谱和光致激发(PLE)光谱,对a-SiNxOy薄...
  • 作者: 蒋安邦 赵冠林 闫共芹 魏鹏湾
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  629-632,659
    摘要: 通过水热模板法制备得到了In2O3亚微空心球,并研究了其光催化性能和电化学性能.研究发现,空心球由直径为10~20 nm的C-In2O3纳米颗粒聚集而成,其壳层厚度为50 nm左右,表面具有...
  • 作者: 刘贵亚 张宇 李民权 罗军 赵超 黄成军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  633-638,680
    摘要: 采用微电子机械加工技术,以简单易加工的传统T型直通道微混合器为基础,提出了由其衍生的3种新型的微器件结构,即T型方波通道、T型方波通道带扩展腔和T+Y型四通道微混合器.利用有限元方法建立目标...
  • 作者: 杨丽清 菅永军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  639-648
    摘要: 研究了平行板微管道内线性黏弹性流体的电磁流动,其中线性黏弹性流体的本构关系是由Jeffrey流体模型来描述的.利用分离变量法,在无滑移条件和滑移条件下,求解了线性化的非定常柯西动量方程和Je...
  • 作者: 屈明山 张慧 施志贵 陈颖慧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  649-653,670
    摘要: 为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构.重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法.分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优...
  • 作者: 崔建利 张斌珍 段俊萍 赵龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  654-659
    摘要: 利用UV-LIGA技术制作毫米波腔体滤波器SU-8主模结构,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)对所制作的SU-8主模结构进行一次复制,得到多个相同的负模结构,将负模结构浸泡在羟丙基甲基纤维素(H...
  • 作者: 刘海涛 蔡洵 高杨 黄振华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  660-665
    摘要: 为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产...
  • 作者: 周建伟 安卫静 武鹏 段波 王娟 王帅 王辰伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  666-670,684
    摘要: 在工作压力为2 psi(1 psi =6894.76 Pa)、抛光头转速为60 r/min、抛光盘转速为65 r/min、流量为150 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm...
  • 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 王辰伟 高娇娇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  671-675
    摘要: 介绍了一种不舍腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)和氧化剂的弱碱性阻挡层抛光液.通过测量抛光液的pH值、Zeta电位、黏度、粒径大小及粒径分布随放置时间的变化来研究抛光液的稳定性;该抛光液与商业阻...
  • 作者: 刘洪 庞炳远 闫萍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  676-680
    摘要: 采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长.通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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