圆片级封装中硅帽的设计和加工

• 作者: 屈明山 张慧 施志贵 陈颖慧
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 圆片级封装(WLP) 电感耦合等离子体(ICP) 硅帽 引线
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 649-653,670
• 分类号: TH703|TN305.96
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.007

摘要

为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构.重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法.分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点.完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验.采用电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔.采用光学显微镜测试了上、下通孔的平面结构.在完成硅帽和敏感结构的键合后,进行了引线测试,结果表明这种上大下小的通孔结构能很好地完成引线工艺,其中250 μm×250μm的尺寸是最佳开口面积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施志贵	中国工程物理研究院电子工程研究所	20	121	7.0	10.0
2	陈颖慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	82	6.0	8.0
3	屈明山	中国工程物理研究院电子工程研究所	4	5	1.0	1.0
4	张慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	20	3.0	4.0