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真空电子技术2003年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
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8712
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91. "宙斯盾"系统中的微波电真空器件刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要：
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92. 脉冲偏转放大器的设计与实现刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 静态偏转光点是确保光点测试的准确性和可靠性的重要方法之一.本文介绍一种高稳定性的脉冲偏转放大器,其特点是分别提供行、帧偏转线圈不同脉宽且可变幅度的驱动电流,使偏转线圈工作于脉冲静态偏转状态....
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93. XEA枪聚焦性能研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 日立公司的EA-UB电子枪是比较成熟的产品,形成了EA-UB枪、SDF枪、AF枪等系列产品,用于大屏幕彩管.为了进一步改进电子枪的聚焦性能,保证大屏幕纯平面彩管的品位,日立公司最近开发出新一...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 叙述了等离子体刻蚀过程中产生的有害气体以及处理这些有害气体的原理和方法.对燃烧分解、化学中和、薄膜吸气、等离子体净化及脉冲电晕放电等作了简要的概述.指出等离子体净化和脉冲电晕放电是净化有害气...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 四极质谱计是一种很有用的残气分析工具, 一般情况下它只能分析残气成分, 本文给出通过四极质谱谱图对比定性分析残气成分的实例.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 该文设计了一种适合应用于低波段宽带多注速调管的四耦合槽π模强耦合双间隙输出腔,并对其独特的优点做了详细的分析和讨论.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 实验表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex.为了寻找其原因, 用X射线光电子能谱(XPS)研...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 对主要成分为Zr和Co的新型非蒸散消气剂进行了活化温度及吸气性能的实验研究.实验表明其活化温度为200～250℃,对N2,H2等活性气体有很好的抽速,对惰性气体He等无抽速.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 研究和开发利用扫描隧道显微镜(STM)对材料进行纳米尺度加工的功能,藉助于STM针尖和样品之间的强电场在金属有机络合物Ag-TCNQ薄膜表面构建了纳米点、纳米点阵和纳米线等纳米结构.伏安(I...
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100. 栅控行波管阴栅距离的调整方法刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 针对迭片式平封电子枪结构中,栅控行波管的阴栅距离受电子枪热胀冷缩影响较大,进而严重影响电子枪性能的问题,本文提出了一种理论,它有利于电子枪快速准确地调整阴栅装配距离,以确保优良的电子枪性能得...
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101. Ke波段小型多注速调管刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 介绍了近期研制的Ke波段小型多注速调管,对该管的设计特点、结构特点作了较详细的介绍,还对设计该类型管的技术关键进行了分析.
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102. 阵列波导光栅的最近研究进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 阵列波导光栅(AWG)是密集波分复用(DWDM)光网络中的关键器件.本文分析了AWG的原理及其性能参数,综述了一些改进其性能的方法,并阐述了AWG在波长路由器、光分插复用器（OADM)和光交...
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103. 反射型扭曲向列模式LCOS刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 采用晶体硅片作为基片,可制成小型高清晰度液晶显示器(LCOS).为本文介绍了LCOS器件设计和制造工艺的几个主要特点,以及LCOS的性能.
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104. 薄膜制备新技术及其应用研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 综述了近几年国内外在薄膜制备技术方面的研究进展,着重比较了蒸发沉积、溅射沉积、激光沉积、CVD、MBE和Sol-Gel等技术的优缺点,分析了这些技术在薄膜制备中应用前景.
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105. 俄罗斯阴极的发展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 从氧化物阴极、金属多孔阴极、合金阴极和场致发射阴极的发展状况,介绍了俄罗斯阴极的发展,从而指出我国阴极研究的发展方向.
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106. 紧凑型荧光灯的新型电子发射材料刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 探讨了影响荧光灯阴极电子发射材料性质的若干因素.在传统的三元碳酸盐中加入一定比例的氧化钇和氧化铈以替代氧化锆,作为新的电子发射材料.使用开/关周期试验法对采用新型电子粉的紧凑型荧光灯进行测试...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 运用四极质谱计对微光管GaAs阴极激活铯源材料除气时释放的残气进行分析,发现受污染铯放气成分主要是C,CO,CO2,CxHy等残气,它们是使GaAs阴极灵敏度低的主要原因.通过对铯源除气工艺...
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108. 通信总配线架用固体放电管封接工艺的改进刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 介绍并讨论了固体放电管的真空封接工艺,以真空封接代替传统封接工艺,生产出满足行业标准YD/T 940及YD/T 694要求的固体放电管,大大降低了产品成本.
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109. 感光性浆料法制作PDP电极的工艺刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 对利用感光性浆料制作ACPDP电极的工艺进行了研究,获得了良好结果,并对研究中遇到的一些问题进行了分析和讨论.
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110. 压力水电解装置的安全运行刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 介绍产氢量为40 m3/h以上压力水电解装置安全运行注意事项,对运行中多发问题提出讨论改进意见.
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111. 多级降压收集极的模拟仿真软件刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 研制了一个微波管多级降压收集极的二维模拟计算软件MSDC.MSDC软件采用圆柱坐标系,计算静电场分布、注入的原电子的运动轨迹、原电子撞击电极引发的次级电子的发射和运动轨迹、电子运动形成的空间...
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112. 毫米波固态器件及模块技术进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 毫米波固态器件及模块技术由于其体积小、重量轻、可靠性高等优势,已在毫米波技术领域逐步占据了重要地位,本文重点介绍了从雪崩管、耿氏管、隧道管等两端器件到三端器件MESFET,再到新型器件,如P...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 从固态微波应用中的潜在优势出发,对RF MEMS的发展概况及前景作出评论.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6 V电压下,薄膜发...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 以钪盐的水溶液与氧化钨液-固掺杂法制备了氧化钪掺杂钨基扩散阴极,利用扫描电镜、能谱分析仪和原位俄歇电子谱仪等现代分析技术研究了烧结体的形貌、Sc的分布及阴极的表面特性.用自行研制的微机控制全...
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116. DDF-Ⅱ型动态聚焦电子枪的研制刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 在DDF-I电子枪基础上,改变电子枪结构,将G5分成三部分,保持G52/G53之间的四极场,增加G51/G52之间的四极场,通过改变四极场位置和电子束在主透镜的入射角来减小四角电子束的水平尺...
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117. 潘宁离子源中电磁场和气压对氢气电离的影响刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 分析了冷阴极潘宁离子源中氢的碰撞电离过程,定性讨论了电磁场强弱、压强大小对氢电离的影响,并阐述了电极材料的特性及选用方法,可为设计小型潘宁离子源部件提供参考依据,对提高潘宁离子源工作稳定性具...
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118. 环境扫描电子显微镜工作原理及实现刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 系统介绍了环境扫描电子显微镜(ESEM)的研制历程和采用的关键技术.从常规扫描电子显微镜(SEM)的基本工作原理出发,列出了SEM成像信号产生的方式及特点.针对SEM在实际应用中暴露出的缺陷...
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119. 折叠波导行波管及微加工技术刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 随着真空微电子学和微加工技术的发展,微真空电子器件的研究范围日益扩展并逐步扩大了各领域的重要应用.研究表明:毫米波折叠波导行波管已成为国际范围THz器件的研究重点.本文扼要地介绍了美国威斯康...
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120. 氧化锌铝透明导电膜刊名： 真空电子技术发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 本文在对ZAO膜与ITO膜性能比较的基础上,综述了ZAO膜的应用前景、国内外研究现状和制备技术,给出了用直流反应磁控溅射法制备ZAO膜的最佳工艺参数和测得的光电性能.
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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