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真空电子技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
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7
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8712
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 为了抑制空间行波管非线性特性产生的交凋失真,本文通过理论分析、计算机仿真和实验验证,分别研究了谐波、交调和混合信号注入技术对空间行波管三阶交调(IM3)分量的抑制情况.实验结果表明:IM3注...
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32. 信息动态刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要：
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33. 一种新型周期永磁聚束系统的设计刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文以传统的轴向相斥排列的周期永磁结构为基础,为了减小各个峰值的波动和降低端峰的磁场梯度,通过延长两端磁环的厚度,对各磁环选用不同性能的磁性材料的方法,经过不断模拟计算和修正,最终得到了峰值...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 计算机辅助设计对行波管的设计非常重要.本文首先利用微波管模拟器套件(MTSS)软件的高频电路模拟器模块计算得到行波管慢波结构的色散、耦合阻抗、衰减常数高频参数,然后运用其注波互作用模拟器模块...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 基片集成波导(SIW)技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面形式集成在印刷电路板上;本文简要介绍SIW这一新技术,然后利用其高通特性,再加载一个低通微带滤波器,设计了一...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文讨论了低频率Alfvén波谱与冷等离子体的非线性相互作用.研究表明,对于多个低频Alfvén波,在波的振幅相对于背景磁场较小时,随着时间的增加,粒子动理学温度的各向异性会降低;随着振幅的...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验.结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件.金属化层与陶瓷之间的...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 利用表面等离子共振(SPR)技术进行生物化学分析和检测,具有前处理简单、无需标记、灵敏度高以及实时、连续监测动态反应过程等特点.本文介绍了表面等离子共振传感器的基本类型和结构,论述了SPR在...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 表面传导电子发射显示(SED)是一种新型平板显示技术,跟现有主流显示技术相比,它在对比度、灰度级、色彩、动态响应及功耗等方面均有优势.本文在简单叙述了SED的发展历史、原理及结构之后,重点介...
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40. 大功率毫米波行波管发展现状刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 毫米波行波管是一种具有重要发展前景的毫米波源,本文简要介绍了耦合腔行波管和螺旋线行波管的工作特点,以及国际上毫米波行波管的发展现状和趋势,指出了发展中遇到的一些关键问题.
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41. 金属化陶瓷表面黑点的探讨刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 利用扫描电镜和能谱仪对金属化后95瓷表面出现的黑点进行了定性和半定量分析,结果表明黑点主要有三类,并分别对其成因进行了探讨.
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42. C波段高效风冷大功率速调管刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 叙述了一支C波段高效风冷大功率速调管的设计,并给出了实际测试结果,在50 MHz带宽范围内,峰值输出功率大于250 kW,效率达到50%以上,增益50 dB左右.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 最近谐振式变换器在消费类电子产品诸如液晶电视和等离子显示器的开关电源中得到了广泛的应用.传统的LLC谐振变换器的设计方法类似于试探法,本文给出了一种新的设计方法及设计实例,该方法可以使在输出...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析.同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用...
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45. X波段捷变频磁控管的研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 分析了捷变频磁控管在研制过程中关键零部件对磁控管性能的影响,并在设计方面给出了预防措施.
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46. 低温工作试验与灯泡漏气关系的分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文分析了低温工作试验与灯泡漏气关系,指出控制封接工艺是解决问题的关键.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 本文介绍TWT周期磁场分布到单环值的分解合成软件的研制和初步的应用.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 高导热金属基复合材料具有优异的热物理性能,且密度较低,是非常理想的电子封装材料.但是由于其本身高的脆性和硬度,使得该材料很难通过二次机械加工成所需要的形状,严重制约了该材料的应用.本文总结了...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 利用均匀沉淀法制备了混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属化粉末,使用该粉末进行了陶瓷金属化层制备,获得了比较理想的陶瓷金属化层显微结构.同时研究了Mo的含量及烧结温度对陶瓷金属化层显微结...
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50. 金刚石材料的功能特性研究与应用刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 本文综述了金刚石的功能特性及其近年来在宽禁带半导体、紫外探测器、量子计算机用单光子源、声波材料和电子封装等方面的研究与应用进展,并对金刚石材料在其它功能特性方面的开发与应用前景提出了展望.
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51. 氧化铝陶瓷Mo-Mn金属化探讨刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题.
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52. 烧结镍工艺的应用研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 二次金属化工艺现多采用电镀镍工艺技术,镍层在金属化层中所起的作用:优化焊料对金属化层的润湿,保护金属化层免于焊料的侵蚀,增强焊接强度和真空气密性.本文以生产实践为基础探讨获得镍层的工艺技术之...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷(包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷)一些实验研究结果...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 分别用A95钨合金、A80钨合金、C103铌合金及三者的焊接组合作为C/SiC与TC4钛合金异质连接的过渡层,采用扫描电子显微镜、X射线衍射对过渡层与C/SiC的界面进行微观组织及结构分析,...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 为解决高温钎焊时钎料流散和陶瓷表面被蒸发物污染的问题,本文制备了纳米氧化铝基涂料,并对涂层烧结前后的性能以及涂层在止焊及高温防护方面的应用进行了研究.结果表明,制备纳米氧化铝基涂料,主体材料...
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56. 浅谈陶瓷-金属封接强度的评估刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 本文对几种常用陶瓷-金属封接强度的测试方法进行了理论分析和测试实验,并且进行数据的统计,评价陶瓷-金属封接件的强度大小和离散性,分析了各种测试方法的优缺点,以期给陶瓷-金属封接技术的研究提供...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 针对CVD金刚石在微波管中的应用特点,提出一种金刚石膜表面金属化新工艺.该工艺采用Ti/Mo/Ni体系和磁控溅射镀膜方法,与无氧铜焊接获得了良好的接合性能,封接件平均抗拉强度大于113.7 ...
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58. 近期国外陶瓷-金属封接的技术进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 本文叙述了近期国外陶瓷-金属封接技术的进展,特别是有关Mo粉的有关特性,并对国外典型产品作了分析报告.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 本文系作者研制的"螺旋线慢波结构冷特性自动测量系统"的补充,给出了此类系统测量误差的详细理论分析,并对典型数据进行了计算.结果表明色散特性(相光速比)的测量误差可小于0.5%,基波耦合阻抗的...
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60. PDP介质保护膜材料的研究进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如T作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC PDP的工作特性有重要意义.本...
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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