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摘要:
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SUPREM-Ⅲ进行集成电路离子注入的工艺模拟
离子注入
沟道效应
工艺模拟
SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟
SUPREM-Ⅲ
氧化扩散
工艺模拟
大规模集成电路测试程序质量控制方法研究
集成电路
集成电路测试程序
开发过程
影响要素
评审
模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究
CMOS集成电路
单粒子闩锁
失效物理
仿真验证
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 集成电路全工序模拟程序SUPREM—Ⅱ实用化研究
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 集成电路 工艺模拟 SUPREM-Ⅱ
年,卷(期) 1989,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-25
页数 14页 分类号 TN405
字数 语种
DOI
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
工艺模拟
SUPREM-Ⅱ
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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0
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