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射频溅射形成SiO2/Si3N4复合介质膜的性质
射频溅射形成SiO2/Si3N4复合介质膜的性质
作者:
刘军
张经国
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
射频溅射
复合介质
摘要:
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文献信息
篇名
射频溅射形成SiO2/Si3N4复合介质膜的性质
来源期刊
混合微电子技术
学科
工学
关键词
射频溅射
复合介质
年,卷(期)
1992,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
30-34
页数
5页
分类号
TN304.055
字数
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中文
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射频溅射
复合介质
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混合微电子技术
主办单位:
中国电子集团公司第四十三研究所
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季刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
安徽省合肥市6068信箱(合肥市绩溪路260号)
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创刊时间:
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