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GDa—Si：H薄膜的内耗及结构缺陷
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文献信息
| 篇名 | GDa—Si：H薄膜的内耗及结构缺陷 | ||
| 来源期刊 | 唐山工程技术学院学报 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 内耗 缺陷 非晶半导体 薄膜 硅 | ||
| 年，卷（期） | 1993,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 77-82 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | O474 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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内耗
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非晶半导体
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唐山工程技术学院学报
主办单位：
出版周期：
季刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
河北唐山市新西路
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创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
389
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