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气态源分子束外延AlxGa1-xAs(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究
气态源分子束外延
AlGaAs
Si掺杂
电学性质
组分
GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构
球形量子点
解析方法
平面波展开方法
有效质量
GaAs/AlxGa1-xAs超晶格束缚态电子能级结构的理论研究
Kronmg-penney模型
子能带
超晶格
束缚态电子能级结构
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 无深能级AlxGa1—xAs外延生长
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 ALGAAS 分子束外延生长 深能级
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8
页数 1页 分类号 TN304.26
字数 语种
DOI
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
ALGAAS
分子束外延生长
深能级
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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