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用SiCl4及间接PECVD法在低温下快速沉积SiO2膜
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文献信息
| 篇名 | 用SiCl4及间接PECVD法在低温下快速沉积SiO2膜 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | PECVD 二氧化硅 薄膜生长 | ||
| 年，卷（期） | 1996,（8） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 5-6 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.055 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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PECVD
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薄膜生长
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相关学者/机构
期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
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864
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