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用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN
Si掺杂GaN
MOVPE
光致发光特性
利用MOVPE选区外延生长InGaAsP
选区外延
MOVPE
InGaAsP
表面尖角
Ⅴ/Ⅲ比
用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN
GaN外延生长
MOVPE
RF-MBE
极性控制
Ti/Fe(001)体系异质外延生长初期外延岛尺寸作用机制探究
嵌入原子方法
分子动力学
异质外延
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 MOVPE法用新先驱体生长ZnS外延层
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 MOVPE法 ZNS 外延层 光电器件
年,卷(期) 1996,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-6
页数 2页 分类号 TN304.25
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
MOVPE法
ZNS
外延层
光电器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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576
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