Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

• 作者: 吴冲若 李永祥 樊玉薇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学原子层外延 欠电势沉积 CdTe化合物
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 302-307
• 页数: 6页
• 分类号: TB7
• 字数: 2922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.04.012

摘要

介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法--电化学原子层外延技术,它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长.从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点.欠电势沉积是电化学原子层外延的关键,它是化合物形成过程中放出自由能的结果.并研究了Si-Au多晶衬底上沉积CdTe的电化学原子层外延,给出了初步实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永祥	东南大学电子工程系	4	133	3.0	4.0
2	吴冲若	东南大学电子工程系	5	134	3.0	5.0
3	樊玉薇	东南大学电子工程系	2	6	1.0	2.0