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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响
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摘要：
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铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟
铁电存储器
P-V特性
C-V特性
器件模拟
铁电薄膜C-V特性测量研究
铁电薄膜
C-V特性测量
四端对接
实验
应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性
C-V曲线
自发极化强度
快速退火
电荷密度
基于C-V,I-V,Q-V特性的铁电电容新模型
铁电电容
模型
C-V特性
电偶极子
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无机材料学报
主办单位：
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-324X
CN：
31-1363/TQ
开本：
16开
出版地：
上海市定西路1295号
邮发代号：
4-504
创刊时间：
1986
语种：
chi
出版文献量（篇）
4760
总下载数（次）
8
总被引数（次）
61689
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