高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电

• 作者: 徐友龙 曹婉真 袁战恒 邵祖发
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铝阳极氧化膜 陷阱浓度 隧穿起始场强
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TN604|TM535
• 字数: 2981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.06.006

摘要

通过对铝阳极氧化膜I-V特性进行导电机理分析,比较不同R(O∶Al)及不同杂质含量氧化膜的I-V特性,发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子,对空间电荷限制电流作用没有贡献,而且会降低氧化膜的隧穿起始电压,增加额定工作电压下的漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁战恒		17	38	4.0	5.0
2	徐友龙		47	499	14.0	21.0
3	曹婉真		12	75	2.0	8.0
4	邵祖发		1	9	1.0	1.0