钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理

• 作者: 李标荣 陈万平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PTC陶瓷 晶界势垒 化学镀镍
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2
• 分类号: TN373|TM534.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.03.001

摘要

化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李标荣		4	27	2.0	4.0