CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

• 作者: 叶如华 景玉梅 李志明 李菊生
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe 薄膜晶体管 迁移率
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.006

摘要

对CdSe-TFT的制作工艺进行了探索,对TFT矩阵的关键材料--半导体层CdSe的性质进行了研究.利用zc-36型高阻仪研究了CdSe薄膜电阻率随蒸发速率的变化,用三探针法和Curve Tracet QT-2对TFT样管的基本电性能进行了测试,得到载流子迁移率为170cm2/V·s,OFF态电流小于lO-10A,ON态电流为10-4A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志明	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	16	254	8.0	15.0
2	景玉梅	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	8	1.0	2.0
3	叶如华	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	1	1.0	1.0
4	李菊生	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	1	1.0	1.0