Si3N4在BaTiO3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

• 作者: 吴波 帅世武 沈剑韵 沈化森 胡永海 黄松涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 正电阻温度系数 烧结助剂 氮化硅
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TN373
• 字数: 3105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2000.04.007

摘要

要同时保证PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的PTC特性,有较大难度.研究了添加Si3N4作为烧结助剂,对PTCR材料的显微结构和电学性能的影响.同添加SiO2作为烧结助剂相比,添加1.0%的Si3N4的PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴波		6	70	5.0	6.0
2	黄松涛		47	456	14.0	18.0
3	沈化森		13	209	9.0	13.0
4	沈剑韵		35	294	12.0	15.0
5	帅世武		2	30	2.0	2.0
6	胡永海		6	84	5.0	6.0