不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

• 作者: 严荣良 任迪远 余学锋 王明刚 胡浴红 赵元富 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 运算放大器 电离辐射效应 氧化物电存 界面态
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 898-903
• 页数: 6页
• 分类号: TN432|O571.33
• 字数: 3945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.014

摘要

介绍了在相同工艺条件下,N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况.结果表明:由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制;而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
2	余学锋	中国科学院新疆物理研究所	22	152	6.0	12.0
3	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
4	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
5	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
6	胡浴红		5	20	3.0	4.0
7	王明刚		5	20	3.0	4.0
8	赵元富		1	3	1.0	1.0