一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法

• 作者: 乔瑛 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 亚微米MOS器件 短沟效应 碰撞电离效应
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.01.008

摘要

提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	乔瑛	西安电子科技大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0