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摘要:
提出了一种新型Si/Si1-cGec太阳电池结构.对长波波段的响应区域-Si基区Si1-cGec梯度区光生少子分布进行了求解.根据电流连续性原理计算了光谱响应SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度c对光生电流J1的影响.结果表明:在一定条件下梯度区的引入使得SR明显提高,但c和梯度区厚度同时增加,窄能隙的复合效应显现出来.电池结构对器件性能的影响更为显著.当梯度区厚度L2远小于基区厚度L1时,复合及电场的抽运使得SR低于相同厚度Si基区之值.
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文献信息
篇名 梯度Si1-cGec混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 太阳电池 Si1-cGec 光谱响应 短路电流 计算分析
年,卷(期) 2000,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1122-1128
页数 7页 分类号 TM914|TN366
字数 4253字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵玉文 13 262 5.0 13.0
2 李成虎 2 2 1.0 1.0
3 黎雪梅 2 2 1.0 1.0
4 王福永 2 2 1.0 1.0
5 王玉亭 2 2 1.0 1.0
6 阎晓彬 2 2 1.0 1.0
7 陆炜 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
太阳电池
Si1-cGec
光谱响应
短路电流
计算分析
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研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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