新型功率混合集成电路材料—氮化铝

• 作者: 毛寒松 王传声
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 功率混合集成电路 半导体材料
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2

摘要

【正】 1 前言长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al₂O₃,和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素,已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷—A1N陶瓷,无疑将成为传统Al₂O₃和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是—种纤锌矿结构的Ⅲ—Ⅴ族合成化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AIN理论热导率达到320W/mK,单晶或多晶AIN因为晶格中隙入氧和金属杂质而使热导率降低很多。历史上

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王传声		15	18	1.0	4.0
2	毛寒松		5	18	1.0	4.0