镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究

• 作者: 孔光临 廖显伯 褚君浩 马智训
• 来源期刊: 中国科学(A辑)
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米硅 声子限制效应 Raman散射
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 169-175
• 页数: 7页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2000.02.010

摘要

系统研究了a-SiOx的Raman散射谱及其退火行为,并通过退火技术使Si从SiOx网络中分凝出来,形成纳米硅和SiO2的镶嵌结构.并利用Raman散射技术研究了这种复合薄膜中纳米硅的声子态.发现在100～600cm-1的波数范围内,纳米硅的Raman谱可用5条Lorentz线得到很好地拟合,并对这5条线的来源作了确认;观测到了在600～1100 cm-1范围内纳米硅的双声子散射.研究结果表明,镶嵌在SiO2介质中的纳米硅具有非晶硅相和纳米硅晶相共存的特点,两者均对Raman散射有贡献.不仅观测到了声子限制效应使一级光学声子频率随纳米硅晶粒尺寸减小而红移这一现象,而且还发现(与体硅相比)声子限制效应对二级Raman散射具有增强效应,并对二级散射模的频率也会产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0