分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜

• 作者: 严辉 刘立明 姚振宇 宋雪梅 王波 程业浩 谭利文 陈光华
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 关键词: 分步偏压 SiC 溅射氚渗透率
• 年，卷（期）: 2000,（z2）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 612-614
• 页数: 3页
• 字数: 2121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019

摘要

采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料学院	80	638	11.0	23.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	宋雪梅	北京工业大学材料学院	44	498	11.0	21.0
5	谭利文	北京工业大学材料学院	4	36	2.0	4.0
6	姚振宇		4	83	3.0	4.0
7	刘立明		2	1	1.0	1.0
8	程业浩		2	1	1.0	1.0