GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究

• 作者: 丁瑞钦 杨恢东 王浩
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体纳米晶 GaAs 薄膜 光谱性质
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 光学材料
• 页码范围: 847-851
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2000.06.024

摘要

采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品.激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品(400℃,60 min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为9.5 cm-1,对应薄膜中GaAs纳米晶粒平均粒径约为3 nm.样品的室温吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与GaAs块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝移,蓝移量为1.78 eV,而且在吸收光谱上还出现了若干可分辨的吸收峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨恢东	五邑大学数学物理系薄膜研究所	13	91	5.0	9.0
2	丁瑞钦	五邑大学数学物理系薄膜研究所	29	115	6.0	9.0
3	王浩	五邑大学数学物理系薄膜研究所	9	46	4.0	6.0