InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定

• 作者: 丁国庆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 119-123
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.01.025

摘要

报道了几种典型的光压谱(PVS)和光荧光谱(PLS);比较了PVS中吸收边Eα和PLS中峰能值Ep的关系;分析指出,最窄能带隙Eg=Ep-1/2KT=Eα;理论分析和实验结果一致.讨论了异质材料多重结的PVS问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国庆		11	12	2.0	3.0