超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅

• 作者: 刘卫丽 多新中 张苗 朱剑豪 林成鲁 沈勤我 王连卫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 超高真空电子束蒸发 外延 单晶硅
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 612-613,619
• 页数: 3页
• 分类号: O78
• 字数: 2909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.06.016

摘要

采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王连卫	中国科学院上海冶金所	11	156	4.0	11.0
2	林成鲁	中国科学院上海冶金所	44	595	15.0	23.0
3	刘卫丽	中国科学院上海冶金所	14	52	4.0	6.0
4	朱剑豪	香港城市大学物理与材料科学系	24	387	9.0	19.0
5	多新中	中国科学院上海冶金所	7	20	2.0	4.0
6	张苗	中国科学院上海冶金所	20	83	6.0	8.0
7	沈勤我	中国科学院上海冶金所	12	41	3.0	5.0