硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

• 作者: 吴俊辉 朱健民 朱青 濮林 邹建平 鲍希茂
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 多孔氧化铝 阳极氧化 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 255-259
• 页数: 5页
• 字数: 3312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.03.009

摘要

研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜，在H2SO4水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程.硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成.硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明，在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔，而孔底可形成SiO2层.有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态，而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的.实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的，它也为硅基纳米材料的制备提供了一种新的自组织模板.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健民	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	24	48	4.0	6.0
2	鲍希茂	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	14	75	6.0	8.0
3	朱青	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	30	479	10.0	21.0
4	濮林	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	10	23	2.0	4.0
5	吴俊辉	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	3	15	1.0	3.0
6	邹建平	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	5	22	2.0	4.0