电子束蒸发法制备CdS薄膜光电特性研究

• 作者: 冷雁冰 孙艳军 王丽 董连和 陈哲
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdS薄膜 电子束蒸发法 正交实验 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1137-1143
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3291字
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发法,以高纯CdS块料为膜料在玻璃基底上制备了CdS薄膜,设计了L9(34)正交实验,研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着基底温度,蒸发速率的提高,薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高;薄膜的阻值随真空度的降低而降低,达到一定程度后阻值基本保持不变.薄膜的暗亮电阻比即光敏性,随基底温度的增大先增大达到最大值后开始减小;而随蒸发速率的提高光敏性先缓后急的增加;真空度对光敏性的影响与蒸发速率对光敏性的影响正好相反,表现为随真空度的增加光敏性先急后缓的降低.正交实验表明:当基底温度为150℃,蒸发速率为1 nm·s-1,真空度为3×10-3 Pa时,薄膜的光电性能最好.CdS薄膜的光敏性达到7.7×102,其中亮电阻的最小值为1350Ω/□.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董连和	长春理工大学光电工程学院	45	151	7.0	11.0
2	孙艳军	长春理工大学光电工程学院	36	106	6.0	9.0
3	冷雁冰	长春理工大学光电工程学院	34	117	6.0	10.0
4	陈哲	长春理工大学光电工程学院	12	45	3.0	6.0
5	王丽	长春理工大学光电工程学院	32	34	3.0	4.0