半导体材料的华丽家族--氮化镓基材料简介

• 作者: 孙殿照
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 GaN 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 知识和进展
• 页码范围: 413-419
• 页数: 7页
• 分类号: TN3
• 字数: 8940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.07.005

摘要

GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件.由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数,它们还有很强的其他应用潜力,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等.在20世纪80年代末和90年代初,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件,特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展.文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙殿照		10	98	5.0	9.0