CVD金刚石薄膜二次形核机制的研究

• 作者: 刘正义 邱万奇 黄元盛
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石 二次形核 生长台阶 碳氢基团
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.012

摘要

根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制，此机制认为二次形核很容易在(100)晶面上和晶界上形成。通过比较(100)面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差，可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时，粘附在基底的碳氢基团发生堆集，如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导，结果表明晶界二次形核是自发的，将导致体系自由能的下降。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱万奇	华南理工大学机电工程系	67	339	9.0	15.0
2	刘正义	华南理工大学机电工程系	91	1225	21.0	32.0
3	黄元盛	华南理工大学机电工程系	14	113	7.0	10.0