新型SOl-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

• 作者: 刘少波 刘梅冬 夏冬林 曾亦可 李军 黄焱球
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT厚膜 新型sol-gel技术 介电性能 铁电性能
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1156-1160
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.020

摘要

采用新型sol-gel技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为2～60μm的PZT铁电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度是25μC/cm2,矫顽场是40kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军	华中科技大学电子科学与技术系	125	647	11.0	20.0
2	曾亦可	华中科技大学电子科学与技术系	65	723	15.0	25.0
3	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
4	夏冬林	华中科技大学电子科学与技术系	11	265	8.0	11.0
5	刘少波	华中科技大学电子科学与技术系	12	396	10.0	12.0
6	黄焱球	华中科技大学电子科学与技术系	9	339	7.0	9.0