氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

• 作者: 刘忠立 刘新宇 刘运龙 吴德馨 和致经 孙海锋 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1596-1599
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.024

摘要

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
4	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
5	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
6	和致经	中国科学院半导体研究所	36	229	9.0	13.0
7	刘运龙	中国科学院微电子中心	5	28	3.0	5.0