SiC及a-SiC：H薄膜的辐照及其进展

• 作者: 刘贵昂 王天民
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 辐照 发展方向与应用前景
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 40-41
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 2704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2001.07.014

摘要

SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐照的一些结果，并指出开展SiC及其薄膜辐照效应研究的重要意义，预测了其发展方向和应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天民	北京航空航天大学理学院	140	1545	22.0	32.0
2	刘贵昂	湛江海洋大学基础科学系	7	31	2.0	5.0