晶体管、MOS器件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 场效应晶体管 部分耗尽 动态阈值电压 功能材料 高频特性 器件 全耗尽 低功率 源漏电压
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62422-22 0103672低功率射频应用中部分耗尽与全耗尽绝缘体上硅MOS 场效应晶体管的比较=Comparison between fully-and partially-depleted SOI MOSFET’s for low-power ra-dio-frequency application[会.英]/Rozeau,O.& Jo-maah,J.//1999 IEEE International SOI ConferenceProceedings.—22～23(EC)Y2000-62422-24 0103673绝缘体上硅动态阈值电压 MOS(DTMOS)晶体管高频特性=High frequency characterization of SOI dynamic