晶体管、MOS器件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 多晶硅薄膜晶体管 静电放电 深亚微米 器件 异质结双极晶体管 模型参数 可靠性 测试结构 沟道长度
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62523-25 0105743SRAM 电路中的高空间频率 MOS 晶体管栅长度变化=High-spatial-frequency MOS transistor gate lengthvariations in SRAM circuits[会,英]/Ouyang,X.&Deeter.T.//2000 IEEE International Conference onMicroelectronic Test Structures.—25～31(PC)Y2000-62523-75 0105744n-MOSFET 在动态操作情况下的热载流子感应光电发射研究=A study on hot-carrier-induced photoemissionin n-MOSFETs under dynamic operation[会,英]/O-