热处理对不加热ITO/玻璃基底上沉积的PLZT铁电薄膜结构转变的影响

• 作者: 王君 蒋生蕊 魏智强
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅镧铁电薄膜 结构转变 热处理
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2002.01.007

摘要

采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT(9/52/48)铁电薄膜. X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2)∶φ(Ar)为3∶7的膜在PbO保护下, 625 ℃热处理150 min后完全形成钙钛矿相的PLZT, 不存在第2相, 介电常数ε为1 224. XPS表面成分分析及深度分析表明: PbO保护气氛中热处理不仅可以防止失铅, 而且还可以弥补在制膜过程中失去的铅. 用改进的Sawyer-Tower电路测量了薄膜的电滞回线, 并获得剩余极化强度为17.7 μC/cm2、矫顽场为24.3 kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏智强	兰州大学物理系	7	104	5.0	7.0
2	王君	兰州大学物理系	31	381	10.0	19.0
3	蒋生蕊	兰州大学物理系	6	72	4.0	6.0